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碳化硅场效应晶体管

SiC MOSFET具有更低的导通电阻,更高的工作频率,开关损耗大幅降低,SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%,高温特性好、稳定性高。
型号 漏极电压(VDS) 导通电阻(RDS(on)) 电流(ID) 封装形式 规格书下载
CGE1M065020 650V 20mΩ 110A TO-247-3
CGE1M120030 1200V 30mΩ 80A TO-247-3
CGE1M120060 1200V 60mΩ 44A TO-247-3

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