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SiC单晶片 2英寸导电型单晶片

禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC单晶片 3英寸导电型单晶片

禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC单晶片 4英寸导电型单晶片

批量产品,禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC单晶片 6英寸导电型单晶片

小批量试产产品,禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC外延片 4英寸N型SiC外延片

禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC外延片 6英寸N型SiC外延片

禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC SBD CGC1S06506

电压650V,电流6A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGF1S06506

电压650V,电流6A,TO-263封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGC1S06508

电压650V,电流8A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGC1S06510

电压650V,电流10A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

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